新闻稿

西门子携手 NVIDIA cuLitho 加速计算光刻,助力下一代 AI 半导体制造

2026年10月14日
中国北京

  • 双方合作将光刻中的全芯片光学邻近校正(Optical Proximity Correction,OPC)工作负载提速12 倍之多。
  • 借助逆向光刻技术(Inverse Lithography Technology,ILT)等先进计算光刻方法,推动面向高数值孔径极紫外光刻(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography,High-NA EUV)的光掩模版(Photomask)全芯片优化走向实际应用。
  • 应对 AI 计算与存储器件先进图形化(Patterning)过程中运行时间和复杂性方面的关键挑战。

西门子今日宣布,其与 NVIDIA 在加速计算光刻工作流程方面的合作取得重要进展。通过将 NVIDIA cuLitho 与 Calibre® 制造软件集成,西门子帮助半导体制造商突破先进图形化过程中的耗时瓶颈,推动下一代人工智能(Artificial Intelligence,AI)半导体的制造落地。NVIDIA cuLitho 是用于GPU加速计算光刻的 CUDA-X 库。

应对先进图形化的计算瓶颈

随着半导体行业加速向先进工艺节点(Process Node)演进,光刻图形化的复杂性呈指数级增长,传统 OPC 和计算光刻技术面临日益突出的运行时间瓶颈。High-NA EUV 的应用,以及采用 ILT 等技术实现先进曲线图形化(Curvilinear Patterning),都对计算资源提出了较高要求。

如果没有计算加速,这些关键技术的处理速度往往难以满足全芯片、制造规模部署的要求,工程团队因此需要在优化深度与项目进度之间作出取舍,可能增加光刻热点(Lithographic Hotspot)风险,并缩小工艺裕量(Process Margin),进而影响先进 AI 计算与存储器件的良率(Yield)。

通过 GPU 加速图形化 加快光刻仿真

西门子与 NVIDIA 正通过技术合作应对这一挑战,为先进图形化的应用提供支持。双方为关键光刻仿真(Lithography Simulation)工作负载带来至少10倍的加速,帮助制造商开展更全面的优化,并在流片(Tapeout)前识别潜在热点。

西门子 EDA IC 产品组合执行副总裁 Ankur Gupta 表示:“计算光刻一直是从设计到制造流程中计算密集程度较高的环节之一。通过将西门子具备签核级(Signoff-grade)精度的 Calibre 技术与 NVIDIA 的 GPU 加速能力相结合,使客户能够规模化应用曲线 ILT 等先进图形化策略。这不仅意味着更快的处理速度,也为下一代 AI 基础设施所需的精度提供支持。”

NVIDIA 工业与计算工程副总裁兼总经理 Tim Costa 表示: “下一代芯片的制造复杂性持续增加,计算光刻也变得更加重要。通过将 NVIDIA cuLitho 的加速能力引入西门子 Calibre,我们帮助工程师处理日益复杂的图形,探索更广泛的优化方案,以满足先进芯片的制造需求。”

为芯片与光掩模版制造商带来可量化价值

双方合作在关键计算光刻工作流程中为半导体与光掩模版制造商带来可量化的性能提升。经验证的工程数据表明,关键工作负载的仿真加速倍数从至少10倍到17 倍不等,帮助全芯片曲线图形化满足 High-NA EUV 生产的实际应用需求。

通过缩短仿真运行时间,制造商能够在更短时间内完成更多轮迭代,更早识别光刻热点,并在流片前改善工艺裕量。更快的处理周转也有助于加快制造准备进程,支持新一代 AI 芯片的应用部署。

如需了解西门子先进半导体设计与制造解决方案,请访问:https://blogs.sw.siemens.com/calibre/2026/10/14/the-virtuous-cycle-of-silicon-how-siemens-is-accelerating-the-era-of-physical-ai-with-nvidia-culitho/.

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2025财年(截至2025年9月30日),西门子在全球的总营收达789亿欧元,净收益104亿欧元,公司持续经营业务拥有约31.8万名员工。欲了解更多信息,请访问网站:www.siemens.com。

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